模擬開關(guān)

模擬開關(guān)是電子開關(guān)的一種，為了導(dǎo)通（或隔離）模擬信號（包括電壓和電流信號）以及支持模擬應(yīng)用（例如音頻和視頻數(shù)據(jù)傳輸）而設(shè)計的。需要注意跟負載開關(guān)做區(qū)分，負載開關(guān)是可以通過大電流的，因為其導(dǎo)通內(nèi)阻很小。模擬開關(guān)本質(zhì)上是在系統(tǒng)接口資源不夠時，進行分時復(fù)用，提供一種高性價比的解決方案。

模擬開關(guān)內(nèi)部的等效電路，由NMOS和PMOS管并聯(lián)組成，這樣可以做到輸入輸出都能達到軌到軌，而且模擬開關(guān)的信號流是雙向的，不區(qū)分方向。COM 引腳表示公共端，NC 引腳表示常閉端，也就是 Control引腳為低電平時開關(guān)的狀態(tài)。NO引腳表示常開端，也就是 Control 引腳為高電平時開關(guān)的狀態(tài)。

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潤石模擬開關(guān)選型表

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模擬開關(guān)的主要參數(shù)

1、電壓范圍

a、供電電壓范圍：開關(guān)供電電壓指的是加在芯片供電端的電壓值，分為支持正負供電和不支持正負供電兩種情況。供電范圍也決定了信號可以無削波的傳輸幅度。

b、模擬電壓范圍：在NC，NO，COM這些端口上允許通過的電壓范圍。一般為0-Vcc或者VDD-VEE=Spe

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2、泄露電流

在開關(guān)導(dǎo)通/關(guān)斷的時候，在源極（S）和漏極（D）測到的非理想的電流值。如果通過模擬開關(guān)前端電路的阻抗大則漏電流的影響不容忽略，如果前端電路阻抗較小，則導(dǎo)通電阻的影響就會更大些。

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3、導(dǎo)通電阻

開關(guān)路徑接通后插入信號路徑的電阻。 導(dǎo)通電阻會隨著輸入電壓值改變。導(dǎo)通電阻平坦度 (RON FLAT) - VD 或 VS 電壓范圍下，同一通道內(nèi) Ron 最大值與最小值之間的差值。

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4、允許通過電流（與導(dǎo)通電阻相關(guān)）

開關(guān)閉合后，開關(guān)允許流過的電流大小，考慮到導(dǎo)通電阻，越大電流帶來的電壓損失越大，功耗/發(fā)熱也會越大

5、帶寬

可通過開關(guān)且衰減不超過 3dB 的信號頻率范圍

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6、開關(guān)控制信號電平（VIH、VIL）

開關(guān)更改內(nèi)部信號路徑所需的控制引腳（EN、SEL、IN 等）上所需的電壓電平。

a、VIH – 輸入控制信號實現(xiàn)邏輯 "1"高 值的最小電壓

b、VIL – 輸入控制信號保持邏輯 "0"低 值的最大電壓

7、寄生電容

導(dǎo)通寄生電容：開關(guān)路徑處于低阻抗?fàn)顟B(tài)時的電容性負載。

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關(guān)斷寄生電容：開關(guān)路徑處于高阻抗?fàn)顟B(tài)時的電容性負載。

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8、開關(guān)時間

ton/toff--在地址信號上升或下降超過邏輯閾值后，開關(guān)輸出上升或下降到最終值的給定百分比內(nèi)所需的時間。

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t (BBM)--先斷后合時間: 開關(guān)在切換通道的時候會先段開原有的連接再與新的路徑連接。確保在多路復(fù)用器中，當(dāng)通過選擇輸入改變信號路徑時，兩個多路復(fù)用器路徑絕不會形成電氣連接。

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9、隔離度 & 串?dāng)_度

關(guān)斷隔離 (OISO)：測量關(guān)斷狀態(tài)開關(guān)阻抗。這是 VD1 與 VS1 之比，以 dB 為單位，當(dāng)相應(yīng)通道處于關(guān)斷狀態(tài)時，在特定頻率下測量得出。

通道間串?dāng)_ (XTALK) ：對從導(dǎo)通通道到關(guān)斷通道之間不必要的信號耦合的一種量度。這是 VS2 與 VS1 之比，在特定頻率下測量得出并以 dB 為單位。