比較器是用來判斷同相端和反相端信號(hào)電壓大小的芯片，通常一個(gè)輸入端接被比較的信號(hào)；另一個(gè)輸入端接基準(zhǔn)電壓，確定門限電壓(或稱閥值)。輸出通常有且僅有兩種狀態(tài)，即高電平和低電平，常應(yīng)用于模－數(shù)轉(zhuǎn)換、波形產(chǎn)生及變換、超限報(bào)警等。

比較器有開漏輸出（包括PFET和NFET架構(gòu)）和推挽輸出兩種方式。本文以圖文的形式對(duì)這兩種輸出方式做一分析。

1.開漏輸出（Open Drain Output）

開漏輸出的比較器又分為NFET架構(gòu)（圖1）和PFET架構(gòu)（圖2），由內(nèi)部的MOSFET決定。NEFT架構(gòu)輸出端需要加上拉電阻才能輸出高電平，PFET架構(gòu)需要加下拉電阻才能輸出低電平。

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圖1 ?NFET架構(gòu)

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圖2 ?PFET架構(gòu)

2.推挽輸出（Push-Pull Output）

推挽輸出結(jié)構(gòu)是由PMOS+NMOS或者三極管受到互補(bǔ)控制的信號(hào)控制，兩個(gè)管子始終一個(gè)在導(dǎo)通，一個(gè)在截止。

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表1 推挽輸出vs開漏輸出（以NFET架構(gòu)為例）

推挽輸出：可以輸出高電平，低電平，連接數(shù)字器件；對(duì)于各種電壓節(jié)點(diǎn)間的電平轉(zhuǎn)換非常有用。可以將多個(gè)開漏輸出的輸出腳，連接到一條線上，形成“與邏輯”關(guān)系，即“線與”功能；任意一個(gè)變低后，開漏線上的邏輯就為0了。這也是I2C，SMBus等總線判斷總線占用狀態(tài)的原理。

NFET開漏輸出：輸出端相當(dāng)于三極管的集電極，要得到高電平狀態(tài)需要上拉電阻才行，適合于做電流的驅(qū)動(dòng)。通常一條總線上只能有一個(gè)push-pull輸出的器件；優(yōu)點(diǎn)速度快。

潤石科技作為國內(nèi)領(lǐng)先的模擬半導(dǎo)體廠商，比較器主要以低功耗著稱，常用型號(hào)如下：

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