
比較器是用來判斷同相端和反相端信號電壓大小的芯片,通常一個輸入端接被比較的信號;另一個輸入端接基準(zhǔn)電壓,確定門限電壓(或稱閥值)。輸出通常有且僅有兩種狀態(tài),即高電平和低電平,常應(yīng)用于模-數(shù)轉(zhuǎn)換、波形產(chǎn)生及變換、超限報警等。
比較器有開漏輸出(包括PFET和NFET架構(gòu))和推挽輸出兩種方式。本文以圖文的形式對這兩種輸出方式做一分析。
1.開漏輸出(Open Drain Output)
開漏輸出的比較器又分為NFET架構(gòu)(圖1)和PFET架構(gòu)(圖2),由內(nèi)部的MOSFET決定。NEFT架構(gòu)輸出端需要加上拉電阻才能輸出高電平,PFET架構(gòu)需要加下拉電阻才能輸出低電平。
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圖1 ?NFET架構(gòu)
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圖2 ?PFET架構(gòu)
2.推挽輸出(Push-Pull Output)
推挽輸出結(jié)構(gòu)是由PMOS+NMOS或者三極管受到互補控制的信號控制,兩個管子始終一個在導(dǎo)通,一個在截止。
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表1 推挽輸出vs開漏輸出(以NFET架構(gòu)為例)
推挽輸出:可以輸出高電平,低電平,連接數(shù)字器件;對于各種電壓節(jié)點間的電平轉(zhuǎn)換非常有用。可以將多個開漏輸出的輸出腳,連接到一條線上,形成“與邏輯”關(guān)系,即“線與”功能;任意一個變低后,開漏線上的邏輯就為0了。這也是I2C,SMBus等總線判斷總線占用狀態(tài)的原理。
NFET開漏輸出:輸出端相當(dāng)于三極管的集電極,要得到高電平狀態(tài)需要上拉電阻才行,適合于做電流的驅(qū)動。通常一條總線上只能有一個push-pull輸出的器件;優(yōu)點速度快。
潤石科技作為國內(nèi)領(lǐng)先的模擬半導(dǎo)體廠商,比較器主要以低功耗著稱,常用型號如下:
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